Circuito ad alta frequenza del PWB 1.5mm dk 2,65 PTFE rf di PTFE con l'oro ricoprente di immersione del rame 3oz

Dettagli:

Luogo di origine:	La Cina
Marca:	Bicheng Technologies Limited
Certificazione:	UL
Numero di modello:	BIC-0098-V1.09

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 9.99-99.99
Imballaggi particolari:	Vuoto
Tempi di consegna:	10 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento:	T/T, Western Union
Capacità di alimentazione:	50000 pezzi al mese

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Numero degli strati:	2	In vetro epossidico:	PTFE
Stagnola finale:	1.0	Altezza finale del PWB:	1,6 millimetri ±10%
Finitura superficia:	Oro di immersione	Colore della maschera della lega per saldatura:	Nessun
Colore della leggenda componente:	Nessun	Prova:	Spedizione priore della prova elettrica di 100%

Circuito ad alta frequenza del PWB 1.5mm dk 2,65 PTFE rf di PTFE con l'oro ricoprente di immersione del rame 3oz

(PWB sono prodotti su ordine, l'immagine ed i parametri indicati sono appena per riferimento)

Ciao tutti,

Oggi parliamo di un tipo di circuito ad alta frequenza di F4B.

Il materiale ad alta frequenza di serie di F4B è pricipalmente panno della fibra di vetro di PTFE e di panno ripieno di ceramica ecc. della fibra di vetro di PTFE. È una serie di materiali ad alta frequenza della marca cinese, che è economica nel prezzo ed in stalla nella qualità. Ampiamente si applica al radar, navigazione, telecomunicazione via satellite, 4G comunicazioni, comunicazioni 5G e simili.

Specifiche del PWB

Conteggio di strato:	Il doppio ha parteggiato
Materiale di base:	F4B DK 2,65
Dimensione:	210 x 115mm
Spessore finito	1.6mm ±10%
Peso di rame finito:	3oz
SMOBC:	Nessun
Finitura superficia:	Oro di immersione

Le specifiche principali di questo bordo sono doppio bordo parteggiato, il substrato è lungamente F4B, dk a 2,65, 210mm da 115mm ampio, 1.6mm ha finito 3oz di rame spesso e finito, nessuna maschera della lega per saldatura nessun silkscreen e la finitura superficia è oro di immersione.

Vediamo la pila su.

Circuito ad alta frequenza del PWB 1.5mm dk 2,65 PTFE rf di PTFE con l'oro ricoprente di immersione del rame 3oz 0

Lo strato superiore e lo strato inferiore sono rame 3oz hanno finito. Il materiale dielettrico di F4b è in mezzo a 2 strati di rame, mostrando la costante dielettrica a 2,65

Circuito ad alta frequenza del PWB 1.5mm dk 2,65 PTFE rf di PTFE con l'oro ricoprente di immersione del rame 3oz 1

Dalla foto di questo bordo, la pista è più spessa del i bordi normale; la finitura superficia è oro di immersione e nessun maschera e silkscreen della lega per saldatura.

La nostra capacità del PWB (PTFE)

Materiale del PWB:	PTFE
Codice:	Serie di F4B
Costante dielettrica:	2,2, 2,55 e 2,65
Costante dielettrica:	2,17, 2,45, 2,75 e 3,0
Conteggio di strato:	1 strato, 2 strati, tipo a più strati e ibrido
Peso di rame:	0.5oz, 1oz, 2oz, 3oz
Spessore del PWB:	0.17mm, 0.25mm, 0.5mm, 0.8mm, 1.0mm,
Spessore del PWB:	1.5mm, 2.0mm, 3.0mm, 4.0mm e 5.0mm, ecc.
Dimensione del PWB:	≤400mm X 500mm
Finitura superficia:	Rame nudo, HASL, ENIG, latta ecc. di immersione.

La costante dielettrica del materiale di F4B è un ampio, bordo che di gamma 2,2 - 3,0 ecc. lo spessore varia 0.17mm - 5.0mm. Possiamo fornirgli servizio del prototipo, i piccoli lotti ed il servizio di fabbricazione in serie.

Se avete tutte le domande, senta libero prego per contattarci.

Grazie per la vostra lettura.

Scheda di dati di PTFE (F4B)

Nome	Condizione di prova			Unità	Valore
Densità	Stato normale			g/ cm3	2.1~2.35
Assorbimento dell'umidità	Immersione nell'acqua distillata di 20±2℃ per 24 ore			%	≤0.02
Temperatura di funzionamento	Camera massima minima di temperatura			℃	-50℃~+260℃
Conducibilità termica				W/m/k	0,8
CTE (tipico)	0~100℃ (εr: 2.1~2.3)			ppm/℃	25 (x)

					34 (y)
					252 (z)
CTE (tipico)	0~100℃ (εr: 2.3~2.9)			ppm/℃	14 (x)

					21 (y)
					173 (z)
CTE (tipico)	0~100℃ (εr: 2.9~3.5)			ppm/℃	12 (x)

					15 (y)
					95 (z)
Fattore di restringimento	2 ore in acqua bollente			%	0,0002
Resistività di superficie	CC 500V		Stato normale	M. ·Ω	≥1×104

			Umidità e temperatura costanti		≥1×103
Resistività di volume	Stato normale			MΩ.cm	≥1×106
	Umidità e temperatura costanti				≥1×105
Pin Resistance	CC 500V	Stato normale		MΩ	≥1×105
		Umidità e temperatura costanti			≥1×103
Resistenza dielettrica di superficie	Stato normale			d=1mm (Kv/mm)	≥1.2
	Umidità e temperatura costanti				≥1.1
Costante dielettrica	10GHZ			εr	2,20, 2,55, 2,65, 3,0, 3,5 (±2%)

Fattore di dissipazione	10GHZ			tgδ	2,2	≤7×10-4
					2.55~2.65	≤1×10-3
					3.0~3.5	≤1.5×10-3