F4BME220 Laminato rivestito in rame da 1 oz di foglio trattato a doppio lato costruito su un substrato da 0,254 mm 0,508 mm 1,524 mm

Descrizione del laminato in rame placcato ad alta frequenza F4BME220

L'F4BME220 è un laminato in rame placcato ad alte prestazioni, rinforzato con fibra di vetro e PTFE (Politetrafluoroetilene)laminato in rame placcatoprodotto da Taizhou Wangling Insulation Material Factory. Progettato per applicazioni avanzate a microonde e radiofrequenza (RF), questo materiale offre una combinazione superiore di proprietà elettriche stabili, eccellente affidabilità ed elevata economicità, posizionandosi come un'alternativa competitiva agli equivalenti importati.

Tecnologia e composizione principali

Il laminato è costruito utilizzando una formulazione scientifica di tessuto in fibra di vetro e resina PTFE, laminati con precisione con un rame a trattamento inverso (RTF)su uno o entrambi i lati. Questo specifico tipo di lamina di rame è fondamentale per la variante "E" (F4BME), che la distingue dalla serie F4BM standard che utilizza rame ED. La lamina di rame RTF è progettata per fornire una superficie a profilo inferiore, essenziale per ottenere eccellenti prestazioni di Intermodulazione Passiva (PIM) (≤-159 dBc), un controllo di incisione più preciso per circuiti a linea sottile e una riduzione delle perdite del conduttore ad alte frequenze.

Specifiche elettriche chiave

• Costante dielettrica (Dk): un valore nominale di 2,20 a 10 GHz, con una tolleranza ristretta di ±0,04.
• Fattore di dissipazione (Df): una tangente di perdita ultra-bassa di 0,001 a 10 GHz e 0,0014 a 20 GHz, che garantisce una minima attenuazione del segnale.
• Coefficiente di temperatura della costante dielettrica (TcDk): -142 ppm/°C su un intervallo da -55°C a +150°C, che indica prestazioni elettriche stabili su un ampio intervallo di temperature.

Specifiche standard del prodotto

Lamina di rame: L'offerta standard è con lamina trattata inversamente (RTF) da 1 oz (0,035 mm). È disponibile anche un'opzione RTF da 0,5 oz (0,018 mm).

Spessore standard: Disponibile in vari spessori totali (rame+dielettrico) o solo dielettrici. Per l'F4BME220 (Dk ≤ 2,65), lo spessore minimo realizzabile del nucleo dielettrico è di 0,1 mm. Gli spessori comuni e le loro tolleranze sono dettagliati nei dati del produttore (ad esempio, 0,254 mm ±0,02 mm, 0,508 mm ±0,04 mm, 1,524 mm ±0,06 mm).

Dimensioni pannello standard:Include dimensioni commercialmente efficienti come 460 mm x 610 mm, 500 mm x 600 mm e 914 mm x 1220 mm. Sono disponibili dimensioni personalizzate su richiesta.

Prestazioni meccaniche e termiche:

• Resistenza allo strappo: >1,6 N/mm (con rame RTF da 1 oz).
• Stabilità dimensionale: migliorata dal rapporto vetro-PTFE regolabile. Un contenuto di vetro più elevato nelle varianti Dk più elevate migliora la stabilità.
• Coefficiente di espansione termica (CTE): direzione XY: 25-34 ppm/°C; direzione Z: 240 ppm/°C (-55°C a 288°C).
• Conducibilità termica (direzione Z): 0,24 W/(m·K).
• Temperatura massima di esercizio: da -55°C a +260°C.
• Classificazione di infiammabilità: UL 94 V-0.

Altre proprietà critiche:

• Resistività volumetrica e superficiale: rispettivamente ≥6x10⁶ MΩ·cm e ≥1x10⁶ MΩ.
• Assorbimento di umidità: ≤0,08%.
• Affidabilità allo stress termico: supera 3 cicli di 10 secondi a 260°C di immersione in saldatura senza delaminazione.

Applicazioni tipiche
L'F4BME220 è ideale per circuiti ad alta frequenza esigenti in cui sono fondamentali basse perdite, Dk stabile e basso PIM. Le applicazioni chiave includono:

• Sfasatori e componenti passivi
• Divisori di potenza, accoppiatori e combinatori
• Reti di alimentazione e antenne phased array
• Antenne per stazioni base e sistemi di comunicazione satellitare

In sintesi, l'F4BME220 è un laminato specializzato e ad alta affidabilità che fornisce una costante dielettrica controllata di 2,20, perdite estremamente basse e caratteristiche PIM superiori grazie alla sua costruzione in rame RTF. È una soluzione commercialmente valida e ad alto volume per i progetti RF e a microonde di nuova generazione.