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F4BM265 Disco di circuito RF DK 2.65 PTFE con 1 oz di rame nudo

F4BM265 Disco di circuito RF DK 2.65 PTFE con 1 oz di rame nudo

MOQ: 1 pz
prezzo: 0.99-99USD/PCS
imballaggio standard: Imballaggio
Periodo di consegna: 2-10 giorni lavorativi
metodo di pagamento: T/T, PayPal
Capacità di approvvigionamento: 50000 pezzi
Informazione dettagliata
Luogo di origine
Cina
Marca
F4B
Certificazione
ISO9001
Numero di modello
F4BM265
Quantità di ordine minimo:
1 pz
Prezzo:
0.99-99USD/PCS
Imballaggi particolari:
Imballaggio
Tempi di consegna:
2-10 giorni lavorativi
Termini di pagamento:
T/T, PayPal
Capacità di alimentazione:
50000 pezzi
Descrizione del prodotto

F4BM265 Laminato Ramato: Un Substrato Sintonizzabile e ad Alte Prestazioni per Applicazioni RF Esigenti

 

 

L'F4BM265, parte della serie F4BM/F4BME di Taizhou Wangling Insulation Material Factory, è un laminato rinforzato con tessuto di vetro e PTFE (politetrafluoroetilene) progettato per fornire una base robusta e personalizzabile per la progettazione di circuiti ad alta frequenza. Regolando con precisione il rapporto tra resina PTFE a bassa perdita e tessuto di vetro, questo materiale raggiunge una costante dielettrica (Dk) di fascia media stabile di 2,65, offrendo ai progettisti un equilibrio ottimale tra velocità di propagazione del segnale, controllo dell'impedenza e stabilità fisica per un'ampia gamma di applicazioni RF e a microonde.

 

 

Questa serie di materiali si distingue per la sua strategia di placcatura doppia. La variante F4BM265 utilizza un foglio di rame elettrodepositato (ED) standard, rendendola una scelta conveniente e ad alte prestazioni per applicazioni in cui la Passive Intermodulation (PIM) ultra-bassa non è un requisito fondamentale. Offre eccellenti proprietà elettriche, tra cui basse perdite (Df di 0,0013 @ 10 GHz) e alta resistenza di isolamento, garantendo un'efficiente trasmissione del segnale e affidabilità. Il materiale è formulato per una maggiore stabilità dimensionale e prestazioni termiche rispetto al suo predecessore, F4B, con un tasso di assorbimento dell'umidità molto basso e una classificazione di infiammabilità UL 94 V-0 per la conformità alla sicurezza commerciale.

 

 

L'F4BM265 è specificamente progettato per prosperare in ambienti difficili, con un'eccellente resistenza alle radiazioni e un basso degassamento, il che lo rende adatto per applicazioni aerospaziali e satellitari. Il suo elevato contenuto di tessuto di vetro a questo livello di Dk contribuisce a una migliore stabilità dimensionale, a un coefficiente di espansione termica nel piano inferiore e a una migliore stabilità termica, supportando la produzione di schede multistrato ad alta densità affidabili.

 

Scheda tecnica F4BM

Parametri tecnici del prodotto Modello del prodotto e scheda tecnica
Caratteristiche del prodotto Condizioni di prova Unità F4BM217 F4BM220 F4BM233 F4BM245 F4BM255 F4BM265 F4BM275 F4BM294 F4BM300
Costante dielettrica (tipica) 10GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45 2.55 2.65 2.75 2.94 3.0
Tolleranza della costante dielettrica / / ±0.04 ±0.04 ±0.04 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.06 ±0.06
Tangente di perdita (tipica) 10GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012 0.0013 0.0013 0.0015 0.0016 0.0017
20GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017 0.0018 0.0019 0.0021 0.0023 0.0025
Coefficiente di temperatura della costante dielettrica -55ºC~150ºC PPM/℃ -150 -142 -130 -120 -110 -100 -92 -85 -80
Resistenza alla pelatura 1 OZ F4BM N/mm >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8
1 OZ F4BME N/mm >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6
Resistività volumetrica Condizione standard MΩ.cm ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6
Resistività superficiale Condizione standard ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6
Resistenza elettrica (direzione Z) 5KW,500V/s KV/mm >23 >23 >23 >25 >25 >25 >28 >30 >30
Tensione di rottura (direzione XY) 5KW,500V/s KV >30 >30 >32 >32 >34 >34 >35 >36 >36
Coefficiente di espansione termica Direzione XY -55 º~288ºC ppm/ºC 25, 34 25, 34 22, 30 20, 25 16, 21 14, 17 14, 16 12, 15 12, 15
Direzione Z -55 º~288ºC ppm/ºC 240 240 205 187 173 142 112 98 95
Stress termico 260℃, 10s,3 volte Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione
Assorbimento d'acqua 20±2℃, 24 ore % ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08
Densità Temperatura ambiente g/cm3 2.17 2.18 2.20 2.22 2.25 2.25 2.28 2.29 2.29
Temperatura di esercizio a lungo termine Camera ad alta-bassa temperatura -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260
Conducibilità termica Direzione Z W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.30 0.33 0.36 0.38 0.41 0.42
PIM Applicabile solo a F4BME dBc ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159
Infiammabilità / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
Composizione del materiale / / PTFE, Tessuto in fibra di vetro
F4BM abbinato a lamina di rame ED, F4BME abbinato a lamina di rame trattata inversamente (RTF).

 

 

Proprietà elettriche:

 

  • Costante dielettrica (Dk) @ 10 GHz: 2.65 ±0.05
  • Fattore di dissipazione (Df): 0.0013 @ 10 GHz, 0.0019 @ 20 GHz
  • Coefficiente termico di Dk (TCDk): -100 ppm/°C (-55°C a 150°C)
  • Resistività volumetrica: ≥ 6 x 10⁶ MΩ·cm
  • Resistività superficiale: ≥ 1 x 10⁶ MΩ
  • Resistenza dielettrica (direzione Z): > 25 KV/mm
  • Tensione di rottura (direzione XY): > 34 KV

 

 

 

Proprietà termiche e fisiche:

 

 

Coefficiente di espansione termica (CTE):

  • Direzione XY: 14-17 ppm/°C (-55°C a 288°C)
  • Direzione Z: 142 ppm/°C (-55°C a 288°C)
  • Conducibilità termica (direzione Z): 0.36 W/(m·K)
  • Temperatura di esercizio a lungo termine: -55°C a +260°C
  • Assorbimento di umidità: ≤ 0.08%
  • Densità: 2.25 g/cm³
  • Infiammabilità: UL 94 V-0

 

 

 

Proprietà meccaniche:

Resistenza alla pelatura (con 1 oz. ED Cu): > 1.8 N/mm

Prestazioni allo stress termico: nessuna delaminazione dopo 3 cicli di 10 secondi a 260°C

 

 

Placcatura:Foglio di rame elettrodepositato (ED) standard.

 

Pesi di rame disponibili:0.5 oz (18µm), 1 oz (35µm), 1.5 oz (50µm), 2 oz (70µm).

 

Dimensioni pannello standard:Include 460 x 610 mm, 500 x 600 mm, 850 x 1200 mm, 914 x 1220 mm e 1000 x 1200 mm.

 

Spessore standard (nucleo dielettrico):Un'ampia gamma da 0.1 mm (minimo per Dk ≤ 2.65) fino a 12.0 mm, con le relative tolleranze.

 

Varianti rivestite in metallo:Disponibile come laminati a base di alluminio (F4BM265-AL) o a base di rame (F4BM265-CU) per una maggiore dissipazione del calore o schermatura elettromagnetica.

 

 

In sintesi, l'F4BM265 si distingue come un substrato versatile e di alto valore che offre prestazioni dielettriche costanti di fascia media, un'eccellente affidabilità termica e una significativa flessibilità di produzione. La sua ampia disponibilità in vari spessori, dimensioni dei pannelli e configurazioni specializzate come le schede con nucleo metallico lo rende una soluzione adattabile ed economica per divisori di potenza, accoppiatori, reti di alimentazione, antenne phased array e sistemi di comunicazione satellitare nei mercati commerciali, della difesa e aerospaziali.

 

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Dettagli dei prodotti
F4BM265 Disco di circuito RF DK 2.65 PTFE con 1 oz di rame nudo
MOQ: 1 pz
prezzo: 0.99-99USD/PCS
imballaggio standard: Imballaggio
Periodo di consegna: 2-10 giorni lavorativi
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Capacità di approvvigionamento: 50000 pezzi
Informazione dettagliata
Luogo di origine
Cina
Marca
F4B
Certificazione
ISO9001
Numero di modello
F4BM265
Quantità di ordine minimo:
1 pz
Prezzo:
0.99-99USD/PCS
Imballaggi particolari:
Imballaggio
Tempi di consegna:
2-10 giorni lavorativi
Termini di pagamento:
T/T, PayPal
Capacità di alimentazione:
50000 pezzi
Descrizione del prodotto

F4BM265 Laminato Ramato: Un Substrato Sintonizzabile e ad Alte Prestazioni per Applicazioni RF Esigenti

 

 

L'F4BM265, parte della serie F4BM/F4BME di Taizhou Wangling Insulation Material Factory, è un laminato rinforzato con tessuto di vetro e PTFE (politetrafluoroetilene) progettato per fornire una base robusta e personalizzabile per la progettazione di circuiti ad alta frequenza. Regolando con precisione il rapporto tra resina PTFE a bassa perdita e tessuto di vetro, questo materiale raggiunge una costante dielettrica (Dk) di fascia media stabile di 2,65, offrendo ai progettisti un equilibrio ottimale tra velocità di propagazione del segnale, controllo dell'impedenza e stabilità fisica per un'ampia gamma di applicazioni RF e a microonde.

 

 

Questa serie di materiali si distingue per la sua strategia di placcatura doppia. La variante F4BM265 utilizza un foglio di rame elettrodepositato (ED) standard, rendendola una scelta conveniente e ad alte prestazioni per applicazioni in cui la Passive Intermodulation (PIM) ultra-bassa non è un requisito fondamentale. Offre eccellenti proprietà elettriche, tra cui basse perdite (Df di 0,0013 @ 10 GHz) e alta resistenza di isolamento, garantendo un'efficiente trasmissione del segnale e affidabilità. Il materiale è formulato per una maggiore stabilità dimensionale e prestazioni termiche rispetto al suo predecessore, F4B, con un tasso di assorbimento dell'umidità molto basso e una classificazione di infiammabilità UL 94 V-0 per la conformità alla sicurezza commerciale.

 

 

L'F4BM265 è specificamente progettato per prosperare in ambienti difficili, con un'eccellente resistenza alle radiazioni e un basso degassamento, il che lo rende adatto per applicazioni aerospaziali e satellitari. Il suo elevato contenuto di tessuto di vetro a questo livello di Dk contribuisce a una migliore stabilità dimensionale, a un coefficiente di espansione termica nel piano inferiore e a una migliore stabilità termica, supportando la produzione di schede multistrato ad alta densità affidabili.

 

Scheda tecnica F4BM

Parametri tecnici del prodotto Modello del prodotto e scheda tecnica
Caratteristiche del prodotto Condizioni di prova Unità F4BM217 F4BM220 F4BM233 F4BM245 F4BM255 F4BM265 F4BM275 F4BM294 F4BM300
Costante dielettrica (tipica) 10GHz / 2.17 2.2 2.33 2.45 2.55 2.65 2.75 2.94 3.0
Tolleranza della costante dielettrica / / ±0.04 ±0.04 ±0.04 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.05 ±0.06 ±0.06
Tangente di perdita (tipica) 10GHz / 0.001 0.001 0.0011 0.0012 0.0013 0.0013 0.0015 0.0016 0.0017
20GHz / 0.0014 0.0014 0.0015 0.0017 0.0018 0.0019 0.0021 0.0023 0.0025
Coefficiente di temperatura della costante dielettrica -55ºC~150ºC PPM/℃ -150 -142 -130 -120 -110 -100 -92 -85 -80
Resistenza alla pelatura 1 OZ F4BM N/mm >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8 >1.8
1 OZ F4BME N/mm >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6 >1.6
Resistività volumetrica Condizione standard MΩ.cm ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6 ≥6×10^6
Resistività superficiale Condizione standard ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6 ≥1×10^6
Resistenza elettrica (direzione Z) 5KW,500V/s KV/mm >23 >23 >23 >25 >25 >25 >28 >30 >30
Tensione di rottura (direzione XY) 5KW,500V/s KV >30 >30 >32 >32 >34 >34 >35 >36 >36
Coefficiente di espansione termica Direzione XY -55 º~288ºC ppm/ºC 25, 34 25, 34 22, 30 20, 25 16, 21 14, 17 14, 16 12, 15 12, 15
Direzione Z -55 º~288ºC ppm/ºC 240 240 205 187 173 142 112 98 95
Stress termico 260℃, 10s,3 volte Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione Nessuna delaminazione
Assorbimento d'acqua 20±2℃, 24 ore % ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08 ≤0.08
Densità Temperatura ambiente g/cm3 2.17 2.18 2.20 2.22 2.25 2.25 2.28 2.29 2.29
Temperatura di esercizio a lungo termine Camera ad alta-bassa temperatura -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260 -55~+260
Conducibilità termica Direzione Z W/(M.K) 0.24 0.24 0.28 0.30 0.33 0.36 0.38 0.41 0.42
PIM Applicabile solo a F4BME dBc ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159 ≤-159
Infiammabilità / UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0
Composizione del materiale / / PTFE, Tessuto in fibra di vetro
F4BM abbinato a lamina di rame ED, F4BME abbinato a lamina di rame trattata inversamente (RTF).

 

 

Proprietà elettriche:

 

  • Costante dielettrica (Dk) @ 10 GHz: 2.65 ±0.05
  • Fattore di dissipazione (Df): 0.0013 @ 10 GHz, 0.0019 @ 20 GHz
  • Coefficiente termico di Dk (TCDk): -100 ppm/°C (-55°C a 150°C)
  • Resistività volumetrica: ≥ 6 x 10⁶ MΩ·cm
  • Resistività superficiale: ≥ 1 x 10⁶ MΩ
  • Resistenza dielettrica (direzione Z): > 25 KV/mm
  • Tensione di rottura (direzione XY): > 34 KV

 

 

 

Proprietà termiche e fisiche:

 

 

Coefficiente di espansione termica (CTE):

  • Direzione XY: 14-17 ppm/°C (-55°C a 288°C)
  • Direzione Z: 142 ppm/°C (-55°C a 288°C)
  • Conducibilità termica (direzione Z): 0.36 W/(m·K)
  • Temperatura di esercizio a lungo termine: -55°C a +260°C
  • Assorbimento di umidità: ≤ 0.08%
  • Densità: 2.25 g/cm³
  • Infiammabilità: UL 94 V-0

 

 

 

Proprietà meccaniche:

Resistenza alla pelatura (con 1 oz. ED Cu): > 1.8 N/mm

Prestazioni allo stress termico: nessuna delaminazione dopo 3 cicli di 10 secondi a 260°C

 

 

Placcatura:Foglio di rame elettrodepositato (ED) standard.

 

Pesi di rame disponibili:0.5 oz (18µm), 1 oz (35µm), 1.5 oz (50µm), 2 oz (70µm).

 

Dimensioni pannello standard:Include 460 x 610 mm, 500 x 600 mm, 850 x 1200 mm, 914 x 1220 mm e 1000 x 1200 mm.

 

Spessore standard (nucleo dielettrico):Un'ampia gamma da 0.1 mm (minimo per Dk ≤ 2.65) fino a 12.0 mm, con le relative tolleranze.

 

Varianti rivestite in metallo:Disponibile come laminati a base di alluminio (F4BM265-AL) o a base di rame (F4BM265-CU) per una maggiore dissipazione del calore o schermatura elettromagnetica.

 

 

In sintesi, l'F4BM265 si distingue come un substrato versatile e di alto valore che offre prestazioni dielettriche costanti di fascia media, un'eccellente affidabilità termica e una significativa flessibilità di produzione. La sua ampia disponibilità in vari spessori, dimensioni dei pannelli e configurazioni specializzate come le schede con nucleo metallico lo rende una soluzione adattabile ed economica per divisori di potenza, accoppiatori, reti di alimentazione, antenne phased array e sistemi di comunicazione satellitare nei mercati commerciali, della difesa e aerospaziali.

 

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