F4BME220 Laminato ad alta frequenza con foglio di rame RTF produzione PCB bifacciale per microonde, RF, radar
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Descrizione di prodotto
Visualizzazione del materiale F4BM255 (Wangling)
F4BM255è un tessuto di vetro tessuto in PTFE (politetrafluoroetilene) laminato rivestito di rame prodotto dalla Taizhou Wangling Insulation Materials Factory.microonde e RFapplicazioni che richiedono una bassa perdita dielettrica, una costante dielettrica stabile a temperatura variabile e un'eccellente stabilità dimensionale.
Il materiale è fabbricato con la formulazione scientifica di resina PTFE con tessuto in vetro e la laminazione sotto rigoroso controllo del processo.
Questa costruzione prevede:
Il rinforzo in vetro migliora la stabilità dimensionale e riduce l'espansione termica
Il dielettrico in PTFE offre perdite molto basse e Dk stabile
Fogli di rame ED
Caratteristiche principali del materiale
| Caratteristica | Benefici |
| Dk = 2,55 ± 0,05 @ 10 GHz | Costante dielettrica bassa e stabile |
| Df = 0,0013 @ 10 GHz | Un fattore di dissipazione molto basso minimizza le perdite di inserimento. |
| Dk coefficiente di temperatura = -110 ppm/°C | Stabile Dk da -55°C a +150°C ̇ essenziale per applicazioni esterne/automotive. |
| Tg > 280°C (DSC) | Alta stabilità termica supporta l' assemblaggio senza piombo. |
| Td = 360°C | Eccellente resistenza alla decomposizione termica. Robusta per ambienti difficili. |
| XY CTE = 1621 ppm/°C | Buona stabilità dimensionale corrisponde al rame per PTH affidabili. |
| Asse Z CTE = 173 ppm/°C | La bassa espansione dell' asse Z riduce lo stress PTH durante il ciclo termico. |
| Assorbimento dell'umidità ≤ 0,08% | Mantiene la stabilità elettrica in ambienti umidi. |
| Conduttività termica = 0,33 W/m·K | Adeguata dissipazione del calore per i circuiti di alimentazione RF. |
| UL 94 V-0 | Risponde ai requisiti di sicurezza. |
Applicazioni tipiche
Fabbricazione di materiali
| Categoria immobiliare | Immobili | Condizione di prova | Valore tipico | Unità |
| Altri dispositivi | Costante dielettrica (Dk) | 10 GHz | 20,55 ± 0.05 | ️ |
| Fattore di dissipazione (Df) | 10 GHz | 0.0013 | ️ | |
| Fattore di dissipazione (Df) | 20 GHz | 0.0018 | ️ | |
| Dk Coefficiente di temperatura | -55°C a +150°C | -110 | ppm/°C | |
| Resistenza al volume | Normalmente | ≥ 6 × 106 | MΩ·cm | |
| Resistenza superficiale | Normalmente | ≥ 1 × 106 | MΩ | |
| Forza dielettrica (asse Z) | 5kV, 500V/s | > 25 | kV/mm | |
| Tensione di rottura (asse XY) | 5kV, 500V/s | > 34 | kV | |
| Termica | Stressa termica (260°C, 10 s × 3) | Galleggiante di saldatura | Nessuna delaminazione | ️ |
| CTE XY direzione | -55°C a 288°C | 16 ¢ 21 | ppm/°C | |
| CTE Z direzione | -55°C a 288°C | 173 | ppm/°C | |
| Conduttività termica (asse Z) | ️ | 0.33 | W/(m·K) | |
| Temperatura di funzionamento continua | ️ | -55 a +260 | °C | |
| Infiammabilità | UL 94 | V-0 | Classificazione | |
| Meccanica | Resistenza al peeling (1 oz di rame ED) | Normalmente | > 1.8 | N/mm |
| Resistenza al peeling (1 oz di rame RTF) | Normalmente | > 1.6 | N/mm | |
| Densità | Normalmente | 2.25 | g/cm3 | |
| Fisica | Assorbimento dell'acqua | 24 ore @ 20±2°C | ≤ 0.08 | % |
| Composizione | Materiale di base | ️ | PTFE + vetro tessuto | ️ |
| Fogli di rame (F4BM) | ️ | ED rame | ️ |
Disponibilità standard
| Parametro | Opzioni |
| Fogli di rame (F4BM) | 0.5 oz (18 μm), 1 oz (35 μm), 1.5 oz (50 μm), 2 oz (70 μm) |
| Dimensioni standard del pannello | 460 × 610 mm, 500 × 600 mm, 850 × 1200 mm, 914 × 1220 mm, 1000 × 1200 mm |
| Dimensioni personalizzate | 300 × 250 mm, 350 × 380 mm, 500 × 500 mm, 840 × 840 mm, 1000 × 1500 mm |
| Intervallo di spessore | 0.1 mm (min per Dk ≤ 2,65) a 12,0 mm |
| Limitazione delle dimensioni | Per spessore ≤ 0,2 mm o ≥ 4,0 mm: pannello massimo 500×610 mm |
PCB personalizzato ¢ F4BM255 a doppio lato con finitura in rame e ENIG da 2 oz
Questa scheda a doppio lato dimostra la nostra capacità di gestire PCB F4BM255 di formato lungo con pesante rame e strette tolleranze dimensionali.
Specificativi di base
| Articolo | Specificità |
| Numero di strati | 2 strati |
| Materiale di base | Spessore dielettrico di 3,0 mm |
| Spessore della tavola finita | 3.1 mm (3,0 mm di dielettrico + 2 × 0,035 mm di rame) |
| Peso del rame finito | 2 oz / 2 oz (70 μm) entrambe le parti |
| Tipo di foglio di rame | Copper ED (serie F4BM) |
| Finitura superficiale | ENIG (oro per immersione) |
| Maschera di saldatura (in alto) | Verde |
| Filtro di seta (in alto) | Bianco |
| Maschera di saldatura (sotto) | Nessuna (rame nuda) |
| Filtro di seta (sotto) | Nessuna |
| Dimensioni della scheda | 521 mm × 59 mm (1 pezzo, tolleranza ±0,15 mm) |
| Traccia/spazio minimo | 7/7 mil |
| Dimensione minima del foro | 0.4 mm |
| Via spessore del rivestimento | 20 μm |
| Via Struttura | Nessun viaso cieco solo attraverso il buco |
| Componenti | 28 |
| Total Pads | 194 (148 fori, 46 SMT superiori) |
| Reti | 2 |
| Standard di qualità | IPC-6012 Classe 2 |
| Formato delle opere d'arte | Gerber RS-274-X |
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Perché questo F4BM255?
| Requisito | Come la risolve la F4BM255 |
| Funzionamento a frequenza di microonde | Df = 0,0013 @ 10 GHz, Df = 0,0018 @ 20 GHz ¢ perdita minima di inserimento per l'integrità del segnale RF. |
| Costante dielettrica stabile | Dk = 2,55 ± 0,05 |
| Manipolazione RF ad alta potenza | 2 once di rame (70 μm) riducono la resistenza di corrente continua e migliorano la dissipazione termica. |
| Stabilità a temperatura | Dk TC = -110 ppm/°C ¢ prestazioni stabili da -55°C a +260°C. |
| Matrice lineare a formato lungo | 3F4BM255 di spessore di 0,0 mm con curvatura ≤ 0,010 mm/mm garantisce la piattezza su una lunghezza di 521 mm. |
| Alternativa PTFE conveniente | L' F4BM255 offre prestazioni comparabili a quelle del PTFE importato a prezzi competitivi. |
| Superficie saldabile | La finitura ENIG fornisce un' eccellente solderabilità per il fissaggio dei componenti e il legame del filo. |
D1: Cosa significa F4BM255?
R: F4B = serie di laminati di vetro tessuto in PTFE di Wangling; M = foglio di rame ED; 255 = costante dielettrica 2,55.
D2: Qual è la differenza tra F4BM e F4BME?
R: F4BM utilizza rame ED standard (applicazioni RF generali). F4BME utilizza rame RTF trattato al contrario per PIM ultra-basso (≤-159 dBc) ideal per antenne di stazioni base di livello portante.
D3: F4BM255 richiede una lavorazione speciale come il PTFE importato?
R: F4BM255 non richiede l'incisione di sodio per il rame ED standard. Tuttavia, per la metalizzazione del PTH, si raccomanda un trattamento con plasma o una soluzione di sodio-naftalene.
D4: Perché scegliere 2 oz di rame per questo disegno?
R: Il rame da 2 oz (70 μm) fornisce una minore resistenza a corrente continua e una migliore dissipazione termica per i circuiti RF ad alta potenza. Supporta anche i requisiti di alta corrente delle grandi reti di alimentazione delle antenne.
Q5: Qual e' la curvatura massima per un F4BM255 da 3,0 mm?
R: Per le tavole spesse 3,0 ∼ 5,0 mm, la curvatura massima è ≤ 0,010 mm/mm ∼, garantendo la piattazza lungo la lunghezza di 521 mm.
D6: Qual è la dimensione minima del foro per F4BM255?
R: La dimensione minima della trivella meccanica è di 0,4 mm (come specificato in questo progetto).
D7: L'ENIG è l'unica finitura di superficie disponibile?
R: No. ENIG è specificato per questo progetto. Altre opzioni includono OSP, HASL, argento immersivo, stagno immersivo, a seconda delle esigenze dell'applicazione.
D8: L'F4BM255 può essere utilizzato per applicazioni a onde millimetriche (mmWave)?
R: Sì. F4BM255 è stato utilizzato nelle bande di microonde e onde millimetriche (cmWave, mmWave) per antenne e reti di alimentazione.
D9: Qual è il tempo di consegna per questa scheda da 521 mm × 59 mm?
R: Il tempo di consegna del prototipo tipico è di 7 ‰ 10 giorni lavorativi per le schede a doppio lato con ENIG e 2 oz di rame.
D10: Potete fornire un controllo di impedenza per questa scheda a formato lungo?
R: Sì, con Dk stabile = 2,55 ± 0.05I valori finali dell'impedenza sono verificati con i test TDR.
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